ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________ วันที่: ____________

1.ง่าย

แหล่งจ่ายไฟตรง 3 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 2.2 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

V_s = 3 VR = 2.2 kΩV_D = 0.7 V

I = mA

2.ง่าย

แหล่งจ่ายไฟตรง 15 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 680 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 10 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด I_D ใน mA

V_s = 15 VR₁ = 680 ΩR₂ = 10 kΩV_D = 0.7 V

I_D = mA

3.ปานกลาง

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส R_B = 100 kΩ จากแหล่งจ่าย V_CC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 470 Ω และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ V_BE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

V_CC = 15 VR_B = 100 kΩR_C = 470 Ωβ = 50V_BE = 0.7 V

V_CE = V

4.ปานกลาง

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 20 V: R₁ = 47 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 2.2 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 470 Ω ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

V_CC = 20 VR₁ = 47 kΩR₂ = 12 kΩR_C = 2.2 kΩR_E = 470 Ωβ = 150

V_CE = V

5.ยาก

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง V_CC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 4 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา R_B ใน kΩ

V_CC = 24 VR_C = 220 Ωβ = 150V_in = 5 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 4

R_B = kΩ

6.ยาก

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 1 kΩ ที่ต่อระหว่าง V_CC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B = 2.2 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ I_C ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

V_CC = 9 VR_C = 1 kΩβ = 200V_in = 3.3 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 VR_B = 2.2 kΩ

I_C = mA

เฉลย

1. I = 1.045 mA
2. I_D = 20.96 mA
3. V_CE = 11.64 V
4. V_CE = 3.231 V
5. R_B = 1.491 kΩ
6. I_C = 8.8 mA

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com