ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​10 VR = 3.3 kΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 3.3 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 10 VR = 3.3 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−20 V220 Ω6.2 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 6.2 V ได้รับแรงดันจาก 20 V ผ่านตัวต้านทาน 220 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 20 VVZ = 6.2 VR = 220 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 80IC​ = ?VCC​ = 10 VRB​ = 1000 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 1000 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 10 VRB = 1000 kΩRC = 3.3 kΩβ = 80VBE = 0.7 V
IC = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 80RE​ = 1 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 47 kΩR2​ = 22 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 18 V: R₁ = 47 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 18 VR1 = 47 kΩR2 = 22 kΩRC = 1.5 kΩRE = 1 kΩβ = 80
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 50IC​ = ?VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = 100 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 100 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

VCC = 5 VRC = 220 Ωβ = 50Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 100 kΩ
IC = mA
6.ยาก
RC​ = 330 Ωβ = 80VCC​ = 9 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 330 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 4 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 9 VRC = 330 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 4
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 2.606 mA
  2. 2. IR = 62.73 mA
  3. 3. IC = 0.744 mA
  4. 4. VCE = 7.448 V
  5. 5. IC = 1.3 mA
  6. 6. RB = 3.225 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com