ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​12 VR = 470 ΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 12 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 470 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 12 VR = 470 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​24 VR = 3.3 kΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 24 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 3.3 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 24 VR = 3.3 kΩVD = 0.7 V
I = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 3.3 kΩβ = 150IC​ = ?RE​ = 1.5 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 56 kΩR2​ = 22 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 56 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.5 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 15 VR1 = 56 kΩR2 = 22 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1.5 kΩβ = 150
IC = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 1 kΩβ = 150RE​ = 1.2 kΩVCC​ = 18 VR1​ = 22 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 18 V: R₁ = 22 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 18 VR1 = 22 kΩR2 = 12 kΩRC = 1 kΩRE = 1.2 kΩβ = 150
VCE = V
5.ยาก
V (V)I (mA)0.65533.33Q = ?

ไดโอดถูกจำลองเป็น 0.65 V อนุกรมกับ 20 Ω (นำกระแสเมื่อสูงกว่า 0.65 V) มันอนุกรมกับตัวต้านทาน 150 Ω คร่อมแหล่งจ่าย 5 V จงหากระแสทำงาน ID ณ จุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด

Vs = 5 VR = 150 ΩV0 = 0.65 Vrd = 20 Ω
ID = mA
6.ยาก
RC​ = 150 Ωβ = 80VCC​ = 9 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 4 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 9 VRC = 150 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 4
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 22.55 mA
  2. 2. I = 7.061 mA
  3. 3. IC = 2.186 mA
  4. 4. VCE = 8.092 V
  5. 5. ID = 25.59 mA
  6. 6. RB = 0.8864 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com