1.ง่าย
ซีเนอร์ไดโอด 6.2 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่านตัวต้านทาน 270 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
Vin = 12 VVZ = 6.2 VR = 270 Ω
IR = mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
2.ง่าย
แหล่งจ่ายไฟตรง 9 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 330 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 3.3 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA
Vs = 9 VR1 = 330 ΩR2 = 3.3 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
3.ปานกลาง
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 390 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 15 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.2 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
VCC = 15 VRB = 390 kΩRC = 1.2 kΩβ = 200VBE = 0.7 V
IC = mA
4.ปานกลาง
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 22 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 4.7 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 3.3 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.5 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
VCC = 15 VR1 = 22 kΩR2 = 4.7 kΩRC = 3.3 kΩRE = 1.5 kΩβ = 200
VCE = V
5.ยาก
ตัวควบคุมซีเนอร์ 5.6 V มีตัวต้านทานอนุกรม 680 Ω อินพุตเพิ่มขึ้นได้ถึง 24 V และโหลดอาจถูกถอดออก จงหากำลังสูงสุด PZ,max ที่ซีเนอร์ต้องสูญเสีย
Vin,max = 24 VVZ = 5.6 VR = 680 Ω
PZ,max = mW
6.ยาก
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี
VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ
เฉลย
- 1. IR = 21.48 mA
- 2. ID = 24.94 mA
- 3. IC = 7.333 mA
- 4. VCE = 8.89 V
- 5. PZ,max = 151.5 mW
- 6. RB = 55.25 kΩ
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com