ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

แหล่งจ่ายไฟตรง 12 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 1.5 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 1 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด I_D ใน mA

ซีเนอร์ไดโอด 6.2 V ได้รับแรงดันจาก 20 V ผ่านตัวต้านทาน 150 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส I_R ในตัวต้านทาน

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 12 V: R₁ = 68 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 2.7 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 1.2 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 12 V: R₁ = 33 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 2.2 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ I_C ใน mA

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง V_CC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B = 100 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ I_C ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

ไดโอดถูกจำลองเป็น 0.65 V อนุกรมกับ 10 Ω (นำกระแสเมื่อสูงกว่า 0.65 V) มันอนุกรมกับตัวต้านทาน 100 Ω คร่อมแหล่งจ่าย 9 V จงหากระแสทำงาน I_D ณ จุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด