แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 680 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 4.7 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
ซีเนอร์ไดโอด 9.1 V ได้รับแรงดันจาก 18 V ผ่านตัวต้านทาน 100 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
ตัวควบคุมซีเนอร์ 12 V ได้รับแรงดันจาก 15 V ผ่าน 330 Ω และจ่ายให้โหลด 2200 Ω จงหากระแสซีเนอร์ IZ
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 1000 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA
ไดโอดถูกจำลองเป็น 0.7 V อนุกรมกับ 20 Ω (นำกระแสเมื่อสูงกว่า 0.7 V) มันอนุกรมกับตัวต้านทาน 100 Ω คร่อมแหล่งจ่าย 5 V จงหากระแสทำงาน ID ณ จุดที่เส้นไดโอดตัดกับเส้นโหลด
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 470 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 5 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ
เฉลย
- 1. ID = 13.53 mA
- 2. IR = 89 mA
- 3. IZ = 3.636 mA
- 4. IC = 1.395 mA
- 5. ID = 35.83 mA
- 6. RB = 8.421 kΩ
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com