แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 1.5 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 470 Ω และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA
ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย
ซีเนอร์ไดโอด 5.6 V ได้รับแรงดันจาก 9 V ผ่านตัวต้านทาน 100 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน
ตัวควบคุมซีเนอร์ 3.3 V ได้รับแรงดันจาก 24 V ผ่าน 470 Ω และจ่ายให้โหลด 470 Ω จงหากระแสซีเนอร์ IZ
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 75 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 560 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 12 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE
ตัวควบคุมซีเนอร์ 6.2 V ต้องจ่ายได้ถึง 30 mA ให้โหลด อินพุตลดลงได้ถึง 24 V และซีเนอร์ต้องการอย่างน้อย 5 mA เพื่อควบคุมแรงดัน จงหาความต้านทานอนุกรมสูงสุด Rmax ที่ยังควบคุมแรงดันได้
ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 470 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 5 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ
เฉลย
- 1. ID = 4.711 mA
- 2. IR = 34 mA
- 3. IZ = 37.02 mA
- 4. VCE = 7.914 V
- 5. Rmax = 508.6 Ω
- 6. RB = 3.425 kΩ
เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com