ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 330 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 3.3 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด I_D ใน mA

แหล่งจ่ายไฟตรง 6 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 1.5 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส R_B = 560 kΩ จากแหล่งจ่าย V_CC = 12 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 4.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ V_BE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

ตัวควบคุมซีเนอร์ 5.6 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่าน 270 Ω และจ่ายให้โหลด 2200 Ω จงหากระแสซีเนอร์ I_Z

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 330 Ω ที่ต่อระหว่าง V_CC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B = 100 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ I_C ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

ตัวควบคุมซีเนอร์ 12 V มีตัวต้านทานอนุกรม 680 Ω อินพุตเพิ่มขึ้นได้ถึง 26 V และโหลดอาจถูกถอดออก จงหากำลังสูงสุด P_Z,max ที่ซีเนอร์ต้องสูญเสีย