ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−9 V330 Ω3.3 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 3.3 V ได้รับแรงดันจาก 9 V ผ่านตัวต้านทาน 330 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 9 VVZ = 3.3 VR = 330 Ω
IR = mA
2.ง่าย
+−12 V220 Ω6.2 VIR​ = ?

ซีเนอร์ไดโอด 6.2 V ได้รับแรงดันจาก 12 V ผ่านตัวต้านทาน 220 Ω โดยไม่ต่อโหลด จงหากระแส IR ในตัวต้านทาน

Vin = 12 VVZ = 6.2 VR = 220 Ω
IR = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 5.6 kΩβ = 150RE​ = 680 ΩVCC​ = 15 VR1​ = 68 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 68 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 5.6 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 680 Ω ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VR1 = 68 kΩR2 = 12 kΩRC = 5.6 kΩRE = 680 Ωβ = 150
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 2.7 kΩβ = 200IC​ = ?RE​ = 1.5 kΩVCC​ = 12 VR1​ = 82 kΩR2​ = 22 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 12 V: R₁ = 82 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 22 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.7 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 1.5 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 12 VR1 = 82 kΩR2 = 22 kΩRC = 2.7 kΩRE = 1.5 kΩβ = 200
IC = mA
5.ยาก
RC​ = 100 Ωβ = 50VCC​ = 9 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 100 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 10 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 9 VRC = 100 Ωβ = 50Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 10
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 150 Ωβ = 100VCC​ = 12 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 12 VRC = 150 Ωβ = 100Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. IR = 17.27 mA
  2. 2. IR = 26.36 mA
  3. 3. VCE = 2.056 V
  4. 4. IC = 1.153 mA
  5. 5. RB = 0.1477 kΩ
  6. 6. RB = 3.305 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com