ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​12 VR = 4.7 kΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 12 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 4.7 kΩ ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 12 VR = 4.7 kΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​6 VR = 470 ΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 6 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 470 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 6 VR = 470 ΩVD = 0.7 V
I = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 150RE​ = 2.2 kΩVCC​ = 15 VR1​ = 22 kΩR2​ = 12 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก VCC = 15 V: R₁ = 22 kΩ จาก VCC ไปยังเบส และ R₂ = 12 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ RE = 2.2 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 15 VR1 = 22 kΩR2 = 12 kΩRC = 1.5 kΩRE = 2.2 kΩβ = 150
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 1.2 kΩβ = 80IC​ = ?VCC​ = 12 VRB​ = 820 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 820 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 12 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.2 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 12 VRB = 820 kΩRC = 1.2 kΩβ = 80VBE = 0.7 V
IC = mA
5.ยาก
RC​ = 1 kΩβ = 150IC​ = ?VCC​ = 5 V5 VRB​ = 22 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 1 kΩ ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB = 22 kΩ ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

VCC = 5 VRC = 1 kΩβ = 150Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 22 kΩ
IC = mA
6.ยาก
RC​ = 680 Ωβ = 150VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 680 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V หาตัวต้านทานเบสที่ใหญ่ที่สุด RB ใน kΩ ที่ยังขับทรานซิสเตอร์ให้อิ่มตัวพอดี

VCC = 5 VRC = 680 Ωβ = 150Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 V
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 2.404 mA
  2. 2. I = 11.28 mA
  3. 3. VCE = 7.47 V
  4. 4. IC = 1.102 mA
  5. 5. IC = 4.8 mA
  6. 6. RB = 55.25 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com