ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________ วันที่: ____________

1.ง่าย

แหล่งจ่ายไฟตรง 9 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 1 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 2.2 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด I_D ใน mA

V_s = 9 VR₁ = 1 kΩR₂ = 2.2 kΩV_D = 0.7 V

I_D = mA

2.ง่าย

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 2.2 kΩ ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 4.7 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด I_D ใน mA

V_s = 10 VR₁ = 2.2 kΩR₂ = 4.7 kΩV_D = 0.7 V

I_D = mA

3.ปานกลาง

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 18 V: R₁ = 39 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 8.2 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 1.5 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

V_CC = 18 VR₁ = 39 kΩR₂ = 8.2 kΩR_C = 1.5 kΩR_E = 1.5 kΩβ = 200

V_CE = V

4.ปานกลาง

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 20 V: R₁ = 33 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 8.2 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 4.7 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 1 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

V_CC = 20 VR₁ = 33 kΩR₂ = 8.2 kΩR_C = 4.7 kΩR_E = 1 kΩβ = 150

V_CE = V

5.ยาก

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง V_CC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 10 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา R_B ใน kΩ

V_CC = 9 VR_C = 150 Ωβ = 80V_in = 3.3 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 10

R_B = kΩ

6.ยาก

ตัวควบคุมซีเนอร์ 3.3 V มีตัวต้านทานอนุกรม 680 Ω อินพุตเพิ่มขึ้นได้ถึง 24 V และโหลดอาจถูกถอดออก จงหากำลังสูงสุด P_Z,max ที่ซีเนอร์ต้องสูญเสีย

V_in,max = 24 VV_Z = 3.3 VR = 680 Ω

P_Z,max = mW

เฉลย

1. I_D = 7.982 mA
2. I_D = 4.078 mA
3. V_CE = 13.26 V
4. V_CE = 2.178 V
5. R_B = 0.3545 kΩ
6. P_Z,max = 100.5 mW

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com