ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________ วันที่: ____________

1.ง่าย

แหล่งจ่ายไฟตรง 15 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 470 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 470 Ω และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด I_D ใน mA

V_s = 15 VR₁ = 470 ΩR₂ = 470 ΩV_D = 0.7 V

I_D = mA

2.ง่าย

LED เหลือง ที่มีแรงดันไปข้างหน้า 2.1 V ทำงานจากแหล่งจ่าย 12 V ผ่านตัวต้านทานอนุกรม จงหาความต้านทาน R ที่ตั้งกระแส LED เป็น 25 mA

V_s = 12 VV_F = 2.1 VI = 25 mA

R = Ω

3.ปานกลาง

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 18 V: R₁ = 33 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 10 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 1.5 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 470 Ω ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ V_CE

V_CC = 18 VR₁ = 33 kΩR₂ = 10 kΩR_C = 1.5 kΩR_E = 470 Ωβ = 150

V_CE = V

4.ปานกลาง

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 มีไบแอสแบบตัวแบ่งแรงดันจาก V_CC = 12 V: R₁ = 47 kΩ จาก V_CC ไปยังเบส และ R₂ = 15 kΩ จากเบสไปกราวด์ ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ R_C = 1 kΩ และตัวต้านทานอีมิตเตอร์คือ R_E = 1 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และใช้วงจรสมมูลเทวินินของตัวแบ่ง (อย่าละเลยกระแสเบส) หากระแสคอลเลกเตอร์ I_C ใน mA

V_CC = 12 VR₁ = 47 kΩR₂ = 15 kΩR_C = 1 kΩR_E = 1 kΩβ = 150

I_C = mA

5.ยาก

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง V_CC = 12 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 5 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา R_B ใน kΩ

V_CC = 12 VR_C = 220 Ωβ = 50V_in = 5 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 5

R_B = kΩ

6.ยาก

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 330 Ω ที่ต่อระหว่าง V_CC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส R_B = 47 kΩ ให้ V_BE = 0.7 V และ V_CE(sat) = 0.2 V หากระแสคอลเลกเตอร์ I_C ใน mA เมื่ออินพุตสูง ตัดสินใจก่อนว่าทรานซิสเตอร์อิ่มตัวหรือไม่

V_CC = 9 VR_C = 330 Ωβ = 80V_in = 5 VV_BE = 0.7 VV_CE(sat) = 0.2 VR_B = 47 kΩ

I_C = mA

เฉลย

1. I_D = 28.94 mA
2. R = 396 Ω
3. V_CE = 4.881 V
4. I_C = 2.035 mA
5. R_B = 0.8017 kΩ
6. I_C = 7.319 mA

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com