ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​24 VR = 470 ΩD​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 24 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 470 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 24 VR = 470 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−24 VR = ?3 V10 mA

LED ขาว ที่มีแรงดันไปข้างหน้า 3 V ทำงานจากแหล่งจ่าย 24 V ผ่านตัวต้านทานอนุกรม จงหาความต้านทาน R ที่ตั้งกระแส LED เป็น 10 mA

Vs = 24 VVF = 3 VI = 10 mA
R = Ω
3.ปานกลาง
RC​ = 4.7 kΩβ = 75IC​ = ?VCC​ = 10 VRB​ = 390 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 75 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 390 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 4.7 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 10 VRB = 390 kΩRC = 4.7 kΩβ = 75VBE = 0.7 V
IC = mA
4.ปานกลาง
RC​ = 470 Ωβ = 80VCC​ = 12 VRB​ = 390 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 390 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 12 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 470 Ω และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 12 VRB = 390 kΩRC = 470 Ωβ = 80VBE = 0.7 V
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 220 Ωβ = 100VCC​ = 5 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 100 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 220 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 5 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 3 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 5 VRC = 220 Ωβ = 100Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 3
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 330 Ωβ = 80VCC​ = 24 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 80 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 330 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 4 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 24 VRC = 330 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 4
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 49.57 mA
  2. 2. R = 2100 Ω
  3. 3. IC = 1.788 mA
  4. 4. VCE = 10.91 V
  5. 5. RB = 3.972 kΩ
  6. 6. RB = 0.721 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com