ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​15 VR = 330 ΩD1​D2​I = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 15 V ขับกระแสผ่านตัวต้านทาน 330 Ω ที่ต่ออนุกรมกับไดโอดซิลิคอนสองตัวที่ไบแอสตรง ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V ต่อไดโอดที่นำกระแส หากระแส I ใน mA

Vs = 15 VR = 330 ΩVD = 0.7 V
I = mA
2.ง่าย
+−Vs​10 VR1​ = 330 ΩR2​ = 1.5 kΩID​ = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 330 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 1.5 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA

Vs = 10 VR1 = 330 ΩR2 = 1.5 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
3.ปานกลาง
+−12 VR = ?4 × 2.2 V5 mA

LED 4 เขียว ตัว (แรงดันไปข้างหน้าตัวละ 2.2 V) ต่ออนุกรมกับตัวต้านทานเข้ากับแหล่งจ่าย 12 V จงหาความต้านทาน R ที่ตั้งกระแสเป็น 5 mA

Vs = 12 VVF = 2.2 Vn = 4I = 5 mA
R = Ω
4.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 75VCC​ = 10 VRB​ = 560 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 75 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 560 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 10 VRB = 560 kΩRC = 1.5 kΩβ = 75VBE = 0.7 V
VCE = V
5.ยาก
RC​ = 150 Ωβ = 50VCC​ = 9 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 9 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 10 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 9 VRC = 150 Ωβ = 50Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 10
RB = kΩ
6.ยาก
RC​ = 100 Ωβ = 200VCC​ = 24 V3.3 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 200 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 100 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 3.3 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 3 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 24 VRC = 100 Ωβ = 200Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 3
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. I = 41.21 mA
  2. 2. ID = 27.72 mA
  3. 3. R = 640 Ω
  4. 4. VCE = 8.132 V
  5. 5. RB = 0.2216 kΩ
  6. 6. RB = 0.7283 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com