ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ พร้อมเฉลย

ใบงาน ไดโอดและทรานซิสเตอร์ ฟรีสำหรับพิมพ์: 6 ข้อ ตั้งแต่ระดับง่ายถึงระดับข้อสอบจริง พร้อมเฉลย พิมพ์หรือบันทึกเป็น PDF ได้

ใบงานใหม่ฝึกออนไลน์พร้อมคำใบ้

สำหรับผู้สอน: พิมพ์ ทำสำเนา และใช้ในชั้นเรียนได้ฟรี ใบงานใหม่แต่ละชุดมีค่าตัวเลขใหม่และเฉลยของตัวเอง หากใส่ลิงก์ไปยัง ExamProblems ในหน้ารายวิชาของคุณ เราจะขอบคุณมาก

ชื่อ: ____________________   วันที่: ____________

1.ง่าย
+−Vs​10 VR1​ = 330 ΩR2​ = 1.5 kΩID​ = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 10 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 330 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 1.5 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA

Vs = 10 VR1 = 330 ΩR2 = 1.5 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
2.ง่าย
+−Vs​9 VR1​ = 470 ΩR2​ = 1 kΩID​ = ?

แหล่งจ่ายไฟตรง 9 V ต่อผ่านตัวต้านทาน R₁ = 470 Ω ไปยังโหนด X จากโหนด X ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่ายมีสองเส้นทางขนานกัน คือตัวต้านทาน R₂ = 1 kΩ และไดโอดซิลิคอนที่มีแอโนดอยู่ที่ X ใช้แบบจำลองแรงดันตกคงที่ 0.7 V หากระแสไดโอด ID ใน mA

Vs = 9 VR1 = 470 ΩR2 = 1 kΩVD = 0.7 V
ID = mA
3.ปานกลาง
RC​ = 2.2 kΩβ = 75VCC​ = 10 VRB​ = 330 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 75 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 330 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 10 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 2.2 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หาแรงดันคอลเลกเตอร์–อีมิตเตอร์ VCE

VCC = 10 VRB = 330 kΩRC = 2.2 kΩβ = 75VBE = 0.7 V
VCE = V
4.ปานกลาง
RC​ = 1.5 kΩβ = 50IC​ = ?VCC​ = 12 VRB​ = 470 kΩ

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 50 ถูกไบแอสด้วยตัวต้านทานเบส RB = 470 kΩ จากแหล่งจ่าย VCC = 12 V ตัวต้านทานคอลเลกเตอร์คือ RC = 1.5 kΩ และอีมิตเตอร์ต่อกราวด์ ให้ VBE = 0.7 V และสมมติว่าทรานซิสเตอร์อยู่ในบริเวณแอกทีฟ หากระแสคอลเลกเตอร์ IC ใน mA

VCC = 12 VRB = 470 kΩRC = 1.5 kΩβ = 50VBE = 0.7 V
IC = mA
5.ยาก
+−≥ 24 VR = ?5.1 V≤ 50 mA

ตัวควบคุมซีเนอร์ 5.1 V ต้องจ่ายได้ถึง 50 mA ให้โหลด อินพุตลดลงได้ถึง 24 V และซีเนอร์ต้องการอย่างน้อย 1 mA เพื่อควบคุมแรงดัน จงหาความต้านทานอนุกรมสูงสุด Rmax ที่ยังควบคุมแรงดันได้

Vin,min = 24 VVZ = 5.1 VIL,max = 50 mAIZ,min = 1 mA
Rmax = Ω
6.ยาก
RC​ = 150 Ωβ = 150VCC​ = 24 V5 VRB​ = ?

ทรานซิสเตอร์ NPN ที่ β = 150 สวิตช์ตัวต้านทานโหลด 150 Ω ที่ต่อระหว่าง VCC = 24 V กับคอลเลกเตอร์ อีมิตเตอร์ต่อกราวด์ เบสถูกขับจากเอาต์พุตลอจิก 5 V ผ่านตัวต้านทานเบส RB ให้ VBE = 0.7 V และ VCE(sat) = 0.2 V เพื่อให้สวิตช์ทำงานได้เชื่อถือได้ ให้ออกแบบกระแสเบสเป็น 10 เท่าของค่าต่ำสุดที่ต้องใช้เพื่อให้อิ่มตัว หา RB ใน kΩ

VCC = 24 VRC = 150 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 Vการขับเกิน = 10
RB = kΩ

เฉลย

  1. 1. ID = 27.72 mA
  2. 2. ID = 16.96 mA
  3. 3. VCE = 5.35 V
  4. 4. IC = 1.202 mA
  5. 5. Rmax = 370.6 Ω
  6. 6. RB = 0.4065 kΩ

เฉลยทีละขั้นตอนฉบับเต็ม: ฝึกหัวข้อนี้ได้ที่ examproblems.com