Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı

3 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış bir silisyum diyotla seri bağlı 330 Ω değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.

6 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış iki silisyum diyotla seri bağlı 1,5 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.

β = 150 olan bir NPN transistör, V_CC = 10 V kaynağından R_B = 330 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci R_C = 1 kΩ ve emetör topraklıdır. V_BE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun.

β = 100 olan bir NPN transistör, V_CC = 20 V’tan gerilim bölücüyle kutuplanmıştır: V_CC’den baza R₁ = 68 kΩ ve bazdan toprağa R₂ = 22 kΩ. Kolektör direnci R_C = 2,7 kΩ ve emetör direnci R_E = 680 Ω. V_BE = 0,7 V alın ve bölücünün Thévenin eşdeğerini kullanın (baz akımını ihmal etmeyin). Kolektör–emetör gerilimi V_CE değerini bulun.

Bir diyot, 25 Ω ile seri 0,65 V olarak modelleniyor (0,65 V’un üzerinde iletir). 6 V’luk bir kaynağa karşı 220 Ω’luk bir dirençle seri bağlı. Diyot doğrusunun yük doğrusuyla kesiştiği çalışma akımını I_D bulun.

β = 200 olan bir NPN transistör, V_CC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 330 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 4 katı olacak şekilde tasarlayın. R_B değerini kΩ cinsinden bulun.