12 V’luk bir Zener diyot, yük bağlı olmadan 270 Ω’luk bir dirençle 15 V’tan besleniyor. Dirençteki akımı IR bulun.
Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı
24 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış iki silisyum diyotla seri bağlı 1,5 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 12 V’tan gerilim bölücüyle kutuplanmıştır: VCC’den baza R₁ = 22 kΩ ve bazdan toprağa R₂ = 6,8 kΩ. Kolektör direnci RC = 1 kΩ ve emetör direnci RE = 1 kΩ. VBE = 0,7 V alın ve bölücünün Thévenin eşdeğerini kullanın (baz akımını ihmal etmeyin). Kolektör–emetör gerilimi VCE değerini bulun.
β = 120 olan bir NPN transistör, VCC = 15 V kaynağından RB = 270 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 470 Ω ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör–emetör gerilimi VCE değerini bulun.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 12 V ile kolektörü arasına bağlı 1 kΩ değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan RB baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 2 katı olacak şekilde tasarlayın. RB değerini kΩ cinsinden bulun.
Bir diyot, 20 Ω ile seri 0,6 V olarak modelleniyor (0,6 V’un üzerinde iletir). 6 V’luk bir kaynağa karşı 150 Ω’luk bir dirençle seri bağlı. Diyot doğrusunun yük doğrusuyla kesiştiği çalışma akımını ID bulun.
Cevap anahtarı
- 1. IR = 11,11 mA
- 2. I = 15,07 mA
- 3. VCE = 7,889 V
- 4. VCE = 12,01 V
- 5. RB = 27,33 kΩ
- 6. ID = 31,76 mA
Tam adım adım çözümler: bu konuyu examproblems.com’da çalışın.