Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı

6,2 V’luk bir Zener diyot, yük bağlı olmadan 150 Ω’luk bir dirençle 12 V’tan besleniyor. Dirençteki akımı I_R bulun.

10 V’luk bir DC kaynak R₁ = 2,2 kΩ direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 2,2 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı I_D değerini mA cinsinden bulun.

β = 50 olan bir NPN transistör, V_CC = 12 V kaynağından R_B = 470 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci R_C = 1,5 kΩ ve emetör topraklıdır. V_BE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör–emetör gerilimi V_CE değerini bulun.

β = 50 olan bir NPN transistör, V_CC = 12 V kaynağından R_B = 560 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci R_C = 1,5 kΩ ve emetör topraklıdır. V_BE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun.

β = 200 olan bir NPN transistör, V_CC = 9 V ile kolektörü arasına bağlı 220 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 10 katı olacak şekilde tasarlayın. R_B değerini kΩ cinsinden bulun.

β = 50 olan bir NPN transistör, V_CC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 150 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan R_B = 10 kΩ baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Giriş yüksekteyken kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun. Önce transistörün doyumda olup olmadığına karar verin.