15 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış bir silisyum diyotla seri bağlı 3,3 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.
10 V’luk bir DC kaynak R₁ = 1,5 kΩ direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 1 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı ID değerini mA cinsinden bulun.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 15 V kaynağından RB = 680 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 1,2 kΩ ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun.
β = 80 olan bir NPN transistör, VCC = 9 V kaynağından RB = 560 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 2,2 kΩ ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör–emetör gerilimi VCE değerini bulun.
β = 50 olan bir NPN transistör, VCC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 680 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan RB = 47 kΩ baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Giriş yüksekteyken kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun. Önce transistörün doyumda olup olmadığına karar verin.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 9 V ile kolektörü arasına bağlı 1 kΩ değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan RB baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 2 katı olacak şekilde tasarlayın. RB değerini kΩ cinsinden bulun.
Tam adım adım çözümler: bu konuyu examproblems.com’da çalışın.