10 V’luk bir DC kaynak R₁ = 2,2 kΩ direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 3,3 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı ID değerini mA cinsinden bulun.
Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı
3,3 V’luk bir Zener diyot, yük bağlı olmadan 470 Ω’luk bir dirençle 12 V’tan besleniyor. Dirençteki akımı IR bulun.
β = 200 olan bir NPN transistör, VCC = 9 V kaynağından RB = 330 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 1,5 kΩ ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör–emetör gerilimi VCE değerini bulun.
β = 200 olan bir NPN transistör, VCC = 10 V kaynağından RB = 1000 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 1,2 kΩ ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun.
Bir diyot, 25 Ω ile seri 0,7 V olarak modelleniyor (0,7 V’un üzerinde iletir). 6 V’luk bir kaynağa karşı 1000 Ω’luk bir dirençle seri bağlı. Diyot doğrusunun yük doğrusuyla kesiştiği çalışma akımını ID bulun.
β = 200 olan bir NPN transistör, VCC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 150 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan RB = 10 kΩ baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Giriş yüksekteyken kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun. Önce transistörün doyumda olup olmadığına karar verin.
Cevap anahtarı
- 1. ID = 4,015 mA
- 2. IR = 18,51 mA
- 3. VCE = 1,455 V
- 4. IC = 1,86 mA
- 5. ID = 5,171 mA
- 6. IC = 32 mA
Tam adım adım çözümler: bu konuyu examproblems.com’da çalışın.