Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı

6 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış bir silisyum diyotla seri bağlı 3,3 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.

9 V’luk bir DC kaynak R₁ = 330 Ω direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 3,3 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı I_D değerini mA cinsinden bulun.

β = 200 olan bir NPN transistör, V_CC = 15 V kaynağından R_B = 820 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci R_C = 1,5 kΩ ve emetör topraklıdır. V_BE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun.

β = 80 olan bir NPN transistör, V_CC = 9 V kaynağından R_B = 330 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci R_C = 1 kΩ ve emetör topraklıdır. V_BE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun.

β = 200 olan bir NPN transistör, V_CC = 12 V ile kolektörü arasına bağlı 150 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Transistörü tam doyuma sürmeye hâlâ yeten en büyük baz direnci R_B değerini kΩ cinsinden bulun.

β = 80 olan bir NPN transistör, V_CC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 220 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan R_B = 4,7 kΩ baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Giriş yüksekteyken kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun. Önce transistörün doyumda olup olmadığına karar verin.