24 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış iki silisyum diyotla seri bağlı 3,3 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.
15 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış bir silisyum diyotla seri bağlı 1 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.
β = 120 olan bir NPN transistör, VCC = 18 V’tan gerilim bölücüyle kutuplanmıştır: VCC’den baza R₁ = 56 kΩ ve bazdan toprağa R₂ = 15 kΩ. Kolektör direnci RC = 3,3 kΩ ve emetör direnci RE = 1 kΩ. VBE = 0,7 V alın ve bölücünün Thévenin eşdeğerini kullanın (baz akımını ihmal etmeyin). Kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun.
β = 120 olan bir NPN transistör, VCC = 9 V kaynağından RB = 330 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 1,5 kΩ ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör–emetör gerilimi VCE değerini bulun.
β = 50 olan bir NPN transistör, VCC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 330 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan RB baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 4 katı olacak şekilde tasarlayın. RB değerini kΩ cinsinden bulun.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 1 kΩ değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan RB = 3,3 kΩ baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Giriş yüksekteyken kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun. Önce transistörün doyumda olup olmadığına karar verin.
Tam adım adım çözümler: bu konuyu examproblems.com’da çalışın.