Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı

5 V’luk bir DC kaynak, doğru kutuplanmış bir silisyum diyotla seri bağlı 1,5 kΩ değerindeki bir dirençten akım geçiriyor. İletimdeki diyot başına 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Akım I değerini mA cinsinden bulun.

10 V’luk bir DC kaynak R₁ = 2,2 kΩ direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 4,7 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı I_D değerini mA cinsinden bulun.

β = 150 olan bir NPN transistör, V_CC = 12 V’tan gerilim bölücüyle kutuplanmıştır: V_CC’den baza R₁ = 39 kΩ ve bazdan toprağa R₂ = 22 kΩ. Kolektör direnci R_C = 1 kΩ ve emetör direnci R_E = 1,5 kΩ. V_BE = 0,7 V alın ve bölücünün Thévenin eşdeğerini kullanın (baz akımını ihmal etmeyin). Kolektör–emetör gerilimi V_CE değerini bulun.

β = 50 olan bir NPN transistör, V_CC = 15 V kaynağından R_B = 820 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci R_C = 4,7 kΩ ve emetör topraklıdır. V_BE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör akımı I_C değerini mA cinsinden bulun.

β = 50 olan bir NPN transistör, V_CC = 9 V ile kolektörü arasına bağlı 100 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Transistörü tam doyuma sürmeye hâlâ yeten en büyük baz direnci R_B değerini kΩ cinsinden bulun.

β = 80 olan bir NPN transistör, V_CC = 5 V ile kolektörü arasına bağlı 100 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 5 V’luk bir lojik çıkıştan R_B baz direnci üzerinden sürülüyor. V_BE = 0,7 V ve V_CE(sat) = 0,2 V alın. Güvenilir anahtarlama için baz akımını doyum için gereken en küçük değerin 4 katı olacak şekilde tasarlayın. R_B değerini kΩ cinsinden bulun.