5 V’luk bir DC kaynak R₁ = 330 Ω direnci üzerinden bir X düğümüne bağlanmıştır. X düğümünden kaynağın negatif ucuna iki paralel yol vardır: R₂ = 10 kΩ direnci ve anodu X’te olan bir silisyum diyot. 0,7 V ile sabit gerilim düşümü modelini kullanın. Diyot akımı ID değerini mA cinsinden bulun.
Cevaplı Diyotlar ve transistörler çalışma kâğıdı
3,3 V’luk bir Zener diyot, yük bağlı olmadan 150 Ω’luk bir dirençle 9 V’tan besleniyor. Dirençteki akımı IR bulun.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 20 V’tan gerilim bölücüyle kutuplanmıştır: VCC’den baza R₁ = 39 kΩ ve bazdan toprağa R₂ = 6,8 kΩ. Kolektör direnci RC = 5,6 kΩ ve emetör direnci RE = 1,5 kΩ. VBE = 0,7 V alın ve bölücünün Thévenin eşdeğerini kullanın (baz akımını ihmal etmeyin). Kolektör akımı IC değerini mA cinsinden bulun.
β = 150 olan bir NPN transistör, VCC = 9 V kaynağından RB = 680 kΩ baz direnciyle kutuplanmıştır. Kolektör direnci RC = 1 kΩ ve emetör topraklıdır. VBE = 0,7 V alın ve transistörün aktif bölgede olduğunu varsayın. Kolektör–emetör gerilimi VCE değerini bulun.
Bir diyot, 20 Ω ile seri 0,6 V olarak modelleniyor (0,6 V’un üzerinde iletir). 12 V’luk bir kaynağa karşı 150 Ω’luk bir dirençle seri bağlı. Diyot doğrusunun yük doğrusuyla kesiştiği çalışma akımını ID bulun.
β = 80 olan bir NPN transistör, VCC = 24 V ile kolektörü arasına bağlı 680 Ω değerindeki bir yük direncini anahtarlıyor. Emetör topraklıdır. Baz, 3,3 V’luk bir lojik çıkıştan RB baz direnci üzerinden sürülüyor. VBE = 0,7 V ve VCE(sat) = 0,2 V alın. Transistörü tam doyuma sürmeye hâlâ yeten en büyük baz direnci RB değerini kΩ cinsinden bulun.
Cevap anahtarı
- 1. ID = 12,96 mA
- 2. IR = 38 mA
- 3. IC = 1,465 mA
- 4. VCE = 7,169 V
- 5. ID = 67,06 mA
- 6. RB = 5,943 kΩ
Tam adım adım çözümler: bu konuyu examproblems.com’da çalışın.