Phiếu bài tập Diode và transistor có đáp án

Một diode Zener 6,2 V được cấp từ 15 V qua điện trở 270 Ω, không có tải. Tìm dòng điện I_R trong điện trở.

Một nguồn một chiều 5 V cấp dòng qua điện trở 1 kΩ mắc nối tiếp với một diode silic phân cực thuận. Dùng mô hình sụt áp không đổi với 0,7 V cho mỗi diode đang dẫn. Tìm dòng điện I theo mA.

Một transistor NPN có β = 80 được phân cực bằng cầu chia áp từ V_CC = 20 V: R₁ = 56 kΩ từ V_CC đến cực nền và R₂ = 8,2 kΩ từ cực nền xuống đất. Điện trở cực thu là R_C = 3,3 kΩ và điện trở cực phát là R_E = 1,2 kΩ. Lấy V_BE = 0,7 V và dùng mạch tương đương Thévenin của cầu chia áp (không bỏ qua dòng điện cực nền). Tìm điện áp cực thu–cực phát V_CE.

Một transistor NPN có β = 120 được phân cực bằng cầu chia áp từ V_CC = 20 V: R₁ = 82 kΩ từ V_CC đến cực nền và R₂ = 22 kΩ từ cực nền xuống đất. Điện trở cực thu là R_C = 4,7 kΩ và điện trở cực phát là R_E = 1,2 kΩ. Lấy V_BE = 0,7 V và dùng mạch tương đương Thévenin của cầu chia áp (không bỏ qua dòng điện cực nền). Tìm điện áp cực thu–cực phát V_CE.

Một transistor NPN có β = 50 đóng cắt một điện trở tải 1 kΩ nối giữa V_CC = 12 V và cực thu của nó. Cực phát được nối đất. Cực nền được điều khiển từ ngõ ra logic 5 V qua điện trở nền R_B. Lấy V_BE = 0,7 V và V_CE(sat) = 0,2 V. Tìm điện trở nền lớn nhất R_B, theo kΩ, vẫn vừa đủ đưa transistor vào bão hòa.

Một transistor NPN có β = 150 đóng cắt một điện trở tải 150 Ω nối giữa V_CC = 9 V và cực thu của nó. Cực phát được nối đất. Cực nền được điều khiển từ ngõ ra logic 3,3 V qua điện trở nền R_B. Lấy V_BE = 0,7 V và V_CE(sat) = 0,2 V. Để đóng cắt tin cậy, hãy thiết kế dòng điện cực nền gấp 4 lần mức tối thiểu cần cho bão hòa. Tìm R_B theo kΩ.