1.二极管与晶体管中等
一只 β = 100 的 NPN 晶体管由电源 VCC = 10 V 经基极电阻 RB = 330 kΩ 偏置。集电极电阻为 RC = 1 kΩ,发射极接地。取 VBE = 0.7 V,并假设晶体管工作在放大区。 求集电极–发射极电压 VCE。
VCC = 10 VRB = 330 kΩRC = 1 kΩβ = 100VBE = 0.7 V
VCE = V
2.二极管与晶体管困难
一只 β = 80 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 24 V 与其集电极之间的 330 Ω 负载电阻。发射极接地。基极由 3.3 V 逻辑输出经基极电阻 RB = 33 kΩ 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 IC,以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。
VCC = 24 VRC = 330 Ωβ = 80Vin = 3.3 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 33 kΩ
IC = mA
3.运放电路中等
差分放大器使用采用 ±15 V 电源的理想运放,其中 R3 = R1,R4 = R2。 求输出电压 Vout。
V1 = 1.8 VV2 = 2.6 VR1 = R3 = 1 kΩR2 = R4 = 4.7 kΩ
Vout = V
4.运放电路困难
积分器使用采用 ±15 V 电源的理想运放;其输出饱和电压为 ±14 V。在 t = 0 施加恒定输入 Vin = 2.6 V 时,电容未充电。 求 t = 500 ms 时的输出电压 Vout。
Vin = 2.6 VR = 100 kΩC = 4.7 µFVsat = ±14 Vt = 500 ms
Vout = V
5.RC 和 RL 暂态中等
开关在 t = 0 闭合前,电感中没有电流。 求 t = 2 ms 时电感中储存的能量 W,以 mJ 表示。
Vs = 5 VR = 22 ΩL = 33 mHt = 2 ms
W = mJ
6.RC 和 RL 暂态困难
开关在 t = 0 闭合前的一瞬间,电容电压为 8 V,极性如图所示。 求 t = 40 ms 时的电容电压 vC。
Vs = 5 VR = 2.2 kΩC = 33 µFvC(0) = 8 Vt = 40 ms
vC = V
7.串并联电阻中等
求电源 V1 看到的等效电阻 Req。
V1 = 30 VR1 = 20 ΩR2 = 2 ΩR3 = 5 ΩR4 = 6 Ω
Req = Ω
8.串并联电阻困难
求电源 V1 看到的等效电阻 Req。
V1 = 5 VR1 = 10 ΩR2 = 6 ΩR3 = 15 ΩR4 = 3 ΩR5 = 15 ΩR6 = 30 Ω
Req = Ω
9.DC-DC 变换器中等
某理想 升压 变换器在 250 kHz、L = 150 µH 下把 15 V 变成 30 V。求电感纹波电流的峰峰值 ΔIL。
Vin = 15 VVo = 30 Vf = 250 kHzL = 150 µH
ΔIL = A
10.DC-DC 变换器困难
某理想 升降压 变换器在 40 kHz 下把 24 V 变成 −36 V,负载为 5 Ω。输出电容为 22 µF。求输出电压纹波的峰峰值 ΔVo,单位为 mV。
Vin = 24 VVo = −36 Vf = 40 kHzC = 22 µFR = 5 Ω
ΔVo = mV
11.惠斯通电桥与应变片中等
一个电阻为 500 Ω 的检流计接在图示电桥的 a 和 b 之间(Vs = 6 V)。求从 a 流向 b 的检流计电流 Ig,单位为 µA。
Vs = 6 VR1 = 10 ΩR2 = 100 ΩR3 = 80 ΩR4 = 120 ΩRg = 500 Ω
Ig = µA
12.惠斯通电桥与应变片困难
某 1/4 桥有一个工作应变片(GF = 2.1),激励电压为 3 V。受载时输出读数为 0.63 mV。求应变 ε,单位为 µε。
Vs = 3 VGF = 2.1Vo = 0.63 mV
ε = µε
13.数字逻辑:门电路、卡诺图与触发器中等
把 F = A′B′ + AB′C + A′BC 化简为最简积之和形式。化简后的表达式包含多少个文字 L?
F = A′B′ + AB′C + A′BC
L =
14.数字逻辑:门电路、卡诺图与触发器困难
对于 F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 7, 8, 10, 11, 12, 13) + d(3, 4, 14, 15)(其中 d 表示无关项),求必要质蕴涵项的个数 N。
F(A, B, C, D) = Σm(0, 1, 7, 8, 10, 11, 12, 13) + d(3, 4, 14, 15)
N =