1.二极管与晶体管中等
一只 β = 120 的 NPN 晶体管由 VCC = 18 V 分压偏置:R₁ = 100 kΩ 接在 VCC 与基极之间,R₂ = 12 kΩ 接在基极与地之间。集电极电阻为 RC = 4.7 kΩ,发射极电阻为 RE = 680 Ω。取 VBE = 0.7 V,并使用分压器的戴维南等效电路(不忽略基极电流)。 求集电极电流 IC,以 mA 计。
VCC = 18 VR1 = 100 kΩR2 = 12 kΩRC = 4.7 kΩRE = 680 Ωβ = 120
IC = mA
2.二极管与晶体管困难
一只 β = 80 的 NPN 晶体管控制一个接在 VCC = 24 V 与其集电极之间的 1 kΩ 负载电阻。发射极接地。基极由 5 V 逻辑输出经基极电阻 RB = 3.3 kΩ 驱动。取 VBE = 0.7 V,VCE(sat) = 0.2 V。 求输入为高电平时的集电极电流 IC,以 mA 计。先判断晶体管是否饱和。
VCC = 24 VRC = 1 kΩβ = 80Vin = 5 VVBE = 0.7 VVCE(sat) = 0.2 VRB = 3.3 kΩ
IC = mA
3.运放电路中等
运放为理想运放,采用 ±15 V 电源。 求输出电压 Vout。
Vin = −3.5 VRa = 4.7 kΩRb = 47 kΩR1 = 100 kΩRf = 100 kΩ
Vout = V
4.运放电路困难
加法放大器使用 ±15 V 供电的理想运放。 求输出电压 Vout。
V1 = −1.1 VV2 = 0.5 VR1 = 10 kΩR2 = 1 kΩRf = 10 kΩ
Vout = V
5.RC 和 RL 暂态中等
电源 Vₛ 通过 R₁ 给电容充电,R₂ 与 C 并联。 开关在 t = 0 闭合时电容未充电。 求 t = 120 ms 时的电容电压 vC。
Vs = 9 VR1 = 10 kΩR2 = 2.2 kΩC = 47 µFt = 120 ms
vC = V
6.RC 和 RL 暂态困难
开关在 t = 0 闭合前的一瞬间,电容电压为 4 V,极性如图所示。 求 t = 200 ms 时的电容电压 vC。
Vs = 15 VR = 10 kΩC = 22 µFvC(0) = 4 Vt = 200 ms
vC = V
7.串并联电阻中等
求电源输出并流过 R1 的电流 IR1。
V1 = 24 VR1 = 8 ΩR2 = 15 ΩR3 = 2 ΩR4 = 6 Ω
IR1 = A
8.串并联电阻困难
求电源 V1 看到的等效电阻 Req。
V1 = 6 VR1 = 10 ΩR2 = 3 ΩR3 = 15 ΩR4 = 3 ΩR5 = 20 ΩR6 = 3 Ω
Req = Ω
9.DC-DC 变换器中等
某降压变换器把 9 V 变成 4.5 V,负载为 15 Ω。开关频率为 200 kHz,L = 47 µH。求电感电流峰值 Imax。
Vin = 9 VVo = 4.5 Vf = 200 kHzL = 47 µHR = 15 Ω
Imax = A
10.DC-DC 变换器困难
某理想 升压 变换器在 40 kHz 下把 36 V 变成 48 V,负载为 8 Ω。输出电容为 220 µF。求输出电压纹波的峰峰值 ΔVo,单位为 mV。
Vin = 36 VVo = 48 Vf = 40 kHzC = 220 µFR = 8 Ω
ΔVo = mV
11.惠斯通电桥与应变片中等
某电桥的四个臂均为 100 Ω,Vs = 5 V。传感器 R₂ 增大了 ΔR = 0.25 Ω。用小变化近似求输出 Vab,单位为 mV。
Vs = 5 VR = 100 ΩΔR = 0.25 Ω
Vab = mV
12.惠斯通电桥与应变片困难
某称重传感器(应变片全桥)在额定载荷 500 kg 时的额定输出为 1 mV/V。激励电压为 5 V。求它在 250 kg 载荷下的输出 Vo。
1 mV/VFrated = 500 kgVs = 5 VF = 250 kg
Vo = mV
13.数字逻辑:门电路、卡诺图与触发器中等
用卡诺图求 F(A, B, C, D) = Σm(1, 2, 5, 6, 9, 14, 15) 的最简和之积 (POS) 形式。它有多少个和项(因子)N?
F(A, B, C, D) = Σm(1, 2, 5, 6, 9, 14, 15)
N =
14.数字逻辑:门电路、卡诺图与触发器困难
一个上升沿触发的 T 触发器从 Q = 0 开始,在 6 个时钟上升沿接收到所示的输入。Q 改变状态的次数 N 是多少?
Q₀ = 0T
N =