مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 470 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
يُغذّى صمام زينر 3,3 V من 12 V عبر مقاومة 100 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 18 V: R₁ = 82 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,6 V على التوالي مع 50 Ω (يوصل فوق 0,6 V). وهو على التوالي مع مقاومة 150 Ω عبر مصدر 6 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 28,94 mA
- 2. IR = 87 mA
- 3. VCE = 9,777 V
- 4. IC = 2,554 mA
- 5. RB = 33,05 kΩ
- 6. ID = 27 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.