مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 2,2 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 20 V عبر مقاومة 330 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 20 V: R₁ = 47 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
يُغذّى منظم زينر 5,1 V من 9 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
يجب أن يغذّي منظم زينر 12 V حملًا بتيار يصل إلى 40 mA. قد ينخفض الدخل إلى 15 V، ويحتاج زينر إلى 5 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.