مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 470 Ω، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 150 kΩ من المصدر VCC = 9 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 20 V: R₁ = 68 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
لمنظم زينر 9,1 V مقاومة توالٍ 100 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 21 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.