1.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 2,2 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1,5 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 9 VR1 = 2,2 kΩR2 = 1,5 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 220 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 12 VRB = 220 kΩRC = 1,5 kΩβ = 75VBE = 0,7 V
IC = mA
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 9 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 470 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 9 VVZ = 3,3 VR = 470 ΩRL = 470 Ω
IZ = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 12 VRC = 470 Ωβ = 80Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 5
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 9 VRC = 470 Ωβ = 100Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 1 kΩ
IC = mA
مفتاح الإجابات
- 1. I = 0,9787 mA
- 2. ID = 3,306 mA
- 3. IC = 3,852 mA
- 4. IZ = 5,106 mA
- 5. RB = 1,657 kΩ
- 6. IC = 18,72 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.