مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 3 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 3,3 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 33 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ ومقاومة الباعث RE = 470 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
5 حمراء من LED (الجهد الأمامي 2 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 24 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 5 mA.
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 22 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 47 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 10,6 mA
- 2. I = 0,697 mA
- 3. VCE = 4,557 V
- 4. R = 2800 Ω
- 5. IC = 23,64 mA
- 6. IC = 4,426 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.