1.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 470 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 470 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 680 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 12 VR = 680 ΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 470 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 12 VRB = 470 kΩRC = 3,3 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
VCE = V
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 6,2 V من 24 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 2200 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 24 VVZ = 6,2 VR = 470 ΩRL = 2200 Ω
IZ = mA
5.صعبة
يجب أن يغذّي منظم زينر 5,6 V حملًا بتيار يصل إلى 25 mA. قد ينخفض الدخل إلى 9 V، ويحتاج زينر إلى 2 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
Vin,min = 9 VVZ = 5,6 VIL,max = 25 mAIZ,min = 2 mA
Rmax = Ω
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 10
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 9,787 mA
- 2. I = 15,59 mA
- 3. VCE = 8,033 V
- 4. IZ = 35,05 mA
- 5. Rmax = 125,9 Ω
- 6. RB = 0,8958 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.