يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 18 V عبر مقاومة 470 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 18 V: R₁ = 68 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 4,7 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 100 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
يجب أن يغذّي منظم زينر 3,3 V حملًا بتيار يصل إلى 40 mA. قد ينخفض الدخل إلى 24 V، ويحتاج زينر إلى 5 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 4 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
مفتاح الإجابات
- 1. IR = 25,11 mA
- 2. I = 9,3 mA
- 3. VCE = 5,493 V
- 4. IC = 13,95 mA
- 5. Rmax = 460 Ω
- 6. RB = 6,108 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.