مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 330 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
يعمل LED حمراء بجهد أمامي 2 V من مصدر 24 V عبر مقاومة توالية. أوجد المقاومة R التي تجعل تيار LED مساويًا 25 mA.
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 470 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 330 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 470 Ω والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB = 33 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 32,12 mA
- 2. R = 880 Ω
- 3. VCE = 5,872 V
- 4. VCE = 7,351 V
- 5. IC = 6,515 mA
- 6. RB = 10,83 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.