1.سهلة
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 15 VR = 1 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 3 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1,5 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 3 VR = 1,5 kΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 20 V عبر 150 Ω ويغذّي حملًا 680 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 20 VVZ = 9,1 VR = 150 ΩRL = 680 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 18 V: R₁ = 22 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ ومقاومة الباعث RE = 470 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 18 VR1 = 22 kΩR2 = 10 kΩRC = 1 kΩRE = 470 Ωβ = 120
IC = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 12 VRC = 680 Ωβ = 100Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 10
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB = 1 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
VCC = 5 VRC = 220 Ωβ = 200Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 VRB = 1 kΩ
IC = mA
مفتاح الإجابات
- 1. I = 13,6 mA
- 2. I = 1,533 mA
- 3. IZ = 59,28 mA
- 4. IC = 9,271 mA
- 5. RB = 2,478 kΩ
- 6. IC = 21,82 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.