1.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1,5 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 1,5 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 9 VR = 220 ΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 12 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 2200 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 12 VVZ = 3,3 VR = 470 ΩRL = 2200 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 200 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 560 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 10 VRB = 560 kΩRC = 1,2 kΩβ = 200VBE = 0,7 V
VCE = V
5.صعبة
لمنظم زينر 6,2 V مقاومة توالٍ 150 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 18 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
Vin,max = 18 VVZ = 6,2 VR = 150 Ω
PZ,max = mW
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 24 VRC = 470 Ωβ = 80Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 5
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 3,067 mA
- 2. I = 34,55 mA
- 3. IZ = 17,01 mA
- 4. VCE = 6,014 V
- 5. PZ,max = 487,7 mW
- 6. RB = 1,359 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.