ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

يُغذّى صمام زينر 5,6 V من 18 V عبر مقاومة 220 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 12 V: R₁ = 47 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 4,7 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 47 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 680 Ω. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين V_CC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.

يجب أن يغذّي منظم زينر 3,3 V حملًا بتيار يصل إلى 30 mA. قد ينخفض الدخل إلى 15 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ R_max تبقيه منظِّمًا.