1.سهلة
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 15 VR = 4,7 kΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 9 V موصول عبر المقاومة R₁ = 470 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 3,3 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 9 VR1 = 470 ΩR2 = 3,3 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 6,2 V من 15 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 470 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 15 VVZ = 6,2 VR = 100 ΩRL = 470 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 820 kΩ من المصدر VCC = 15 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 15 VRB = 820 kΩRC = 1 kΩβ = 100VBE = 0,7 V
IC = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 3 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 24 VRC = 680 Ωβ = 100Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 3
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 9 VRC = 470 Ωβ = 150Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 2,894 mA
- 2. ID = 17,45 mA
- 3. IZ = 74,81 mA
- 4. IC = 1,744 mA
- 5. RB = 2,476 kΩ
- 6. RB = 20,83 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.