ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 12 V موصول عبر المقاومة R₁ = 680 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 680 Ω، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي I_D بالـ mA.

مصدر تيار مستمر 10 V موصول عبر المقاومة R₁ = 1,5 kΩ بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 4,7 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي I_D بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 820 kΩ من المصدر V_CC = 10 V. مقاومة المجمِّع R_C = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 12 V: R₁ = 56 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 10 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

لمنظم زينر 12 V مقاومة توالٍ 680 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 23 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة P_Z,max يجب أن يبددها زينر.

لمنظم زينر 9,1 V مقاومة توالٍ 680 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 27 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة P_Z,max يجب أن يبددها زينر.