ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 3 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 470 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

يُغذّى صمام زينر 6,2 V من 24 V عبر مقاومة 680 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 12 V: R₁ = 82 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 12 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 680 Ω. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 12 V: R₁ = 82 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 12 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 1 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 470 Ω. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

لمنظم زينر 9,1 V مقاومة توالٍ 150 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 28 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة P_Z,max يجب أن يبددها زينر.

ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين V_CC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 4 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.