ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

يُغذّى صمام زينر 5,6 V من 12 V عبر مقاومة 270 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار I_R في المقاومة.

ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 390 kΩ من المصدر V_CC = 10 V. مقاومة المجمِّع R_C = 2,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 100 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 12 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 5,6 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 220 Ω موصولة بين V_CC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.

ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين V_CC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.