يُغذّى صمام زينر 3,3 V من 15 V عبر مقاومة 150 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 120 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 12 V: R₁ = 100 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 22 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ ومقاومة الباعث RE = 1,5 kΩ. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 680 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
لمنظم زينر 3,3 V مقاومة توالٍ 470 Ω. قد يرتفع الدخل إلى 26 V، وقد يكون الحمل مفصولًا. أوجد أكبر قدرة PZ,max يجب أن يبددها زينر.
ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 12 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 3 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
مفتاح الإجابات
- 1. IR = 78 mA
- 2. I = 14,3 mA
- 3. VCE = 8,731 V
- 4. IC = 1,329 mA
- 5. PZ,max = 159,4 mW
- 6. RB = 12,15 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.