1.سهلة
مصدر تيار مستمر 5 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 330 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 5 VR = 330 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 3,3 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 3,3 kΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 20 V عبر 220 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 20 VVZ = 9,1 VR = 220 ΩRL = 3300 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
3 أصفر من LED (الجهد الأمامي 2,1 V لكل منها) موصولة على التوالي مع مقاومة بمصدر 9 V. أوجد المقاومة R التي تجعل التيار 10 mA.
Vs = 9 VVF = 2,1 Vn = 3I = 10 mA
R = Ω
5.صعبة
يجب أن يغذّي منظم زينر 9,1 V حملًا بتيار يصل إلى 20 mA. قد ينخفض الدخل إلى 20 V، ويحتاج زينر إلى 1 mA على الأقل ليظل منظِّمًا. أوجد أكبر مقاومة توالٍ Rmax تبقيه منظِّمًا.
Vin,min = 20 VVZ = 9,1 VIL,max = 20 mAIZ,min = 1 mA
Rmax = Ω
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 150 يتحكّم بمقاومة حمل 100 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 5 VRC = 100 Ωβ = 150Vin = 5 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 10,91 mA
- 2. I = 1,394 mA
- 3. IZ = 46,79 mA
- 4. R = 270 Ω
- 5. Rmax = 519 Ω
- 6. RB = 13,44 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.