مصدر تيار مستمر 5 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 1,5 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
يُغذّى صمام زينر 9,1 V من 12 V عبر مقاومة 220 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقسّم جهد من VCC = 15 V: R₁ = 33 kΩ من VCC إلى القاعدة و R₂ = 12 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ ومقاومة الباعث RE = 470 Ω. خذ VBE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 390 kΩ من المصدر VCC = 12 V. مقاومة المجمِّع RC = 3,3 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,65 V على التوالي مع 5 Ω (يوصل فوق 0,65 V). وهو على التوالي مع مقاومة 330 Ω عبر مصدر 9 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 330 Ω موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 5 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.