1.سهلة
مصدر تيار مستمر 10 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 330 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 10 VR = 330 ΩVD = 0,7 V
I = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 3,3 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
Vs = 6 VR = 3,3 kΩVD = 0,7 V
I = mA
3.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 9,1 V من 20 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 3300 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 20 VVZ = 9,1 VR = 470 ΩRL = 3300 Ω
IZ = mA
4.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 80 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 100 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 1 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA.
VCC = 10 VRB = 100 kΩRC = 1 kΩβ = 80VBE = 0,7 V
IC = mA
5.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 24 VRC = 680 Ωβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة RB، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.
VCC = 9 VRC = 470 Ωβ = 200Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 V
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. I = 26,06 mA
- 2. I = 1,606 mA
- 3. IZ = 20,43 mA
- 4. IC = 7,44 mA
- 5. RB = 3,714 kΩ
- 6. RB = 27,77 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.