مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 2,2 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
يُغذّى صمام زينر 5,1 V من 15 V عبر مقاومة 270 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 9 V عبر 100 Ω ويغذّي حملًا 2200 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 330 kΩ من المصدر VCC = 9 V. مقاومة المجمِّع RC = 1,5 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 150 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
ترانزستور NPN بـ β = 80 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين VCC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة RB = 2,2 kΩ. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. أوجد تيار المجمِّع IC بالـ mA عندما يكون الدخل مرتفعًا. حدّد أولًا ما إذا كان الترانزستور مشبّعًا.
مفتاح الإجابات
- 1. I = 3,773 mA
- 2. IR = 36,67 mA
- 3. IZ = 55,5 mA
- 4. VCE = 3,341 V
- 5. RB = 1,466 kΩ
- 6. IC = 4,8 mA
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.