ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 12 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 220 Ω على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

مصدر تيار مستمر 15 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 4,7 kΩ على التوالي مع ثنائي سيليكون منحاز أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 150 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 15 V: R₁ = 39 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 8,2 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 4,7 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1,2 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

يُغذّى منظم زينر 6,2 V من 9 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 2200 Ω. أوجد تيار زينر I_Z.

ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين V_CC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 5 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد R_B بالـ kΩ.

ترانزستور NPN بـ β = 200 يتحكّم بمقاومة حمل 1 kΩ موصولة بين V_CC = 24 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.