ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات

مصدر تيار مستمر 9 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 1 kΩ على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

مصدر تيار مستمر 6 V يمرّر تيارًا عبر مقاومة 680 Ω على التوالي مع ثنائيي سيليكون منحازين أماميًا. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V لكل ثنائي موصل. أوجد التيار I بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 75 منحاز بمقاومة قاعدة R_B = 680 kΩ من المصدر V_CC = 15 V. مقاومة المجمِّع R_C = 2,7 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ V_BE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث V_CE.

ترانزستور NPN بـ β = 100 منحاز بمقسّم جهد من V_CC = 20 V: R₁ = 68 kΩ من V_CC إلى القاعدة و R₂ = 15 kΩ من القاعدة إلى الأرضي. مقاومة المجمِّع R_C = 2,7 kΩ ومقاومة الباعث R_E = 1 kΩ. خذ V_BE = 0,7 V واستخدم مكافئ ثيفنن للمقسّم (لا تُهمل تيار القاعدة). أوجد تيار المجمِّع I_C بالـ mA.

ترانزستور NPN بـ β = 100 يتحكّم بمقاومة حمل 470 Ω موصولة بين V_CC = 5 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة R_B. خذ V_BE = 0,7 V و V_CE(sat) = 0,2 V. أوجد أكبر مقاومة قاعدة R_B، بالـ kΩ، التي ما زالت تدفع الترانزستور إلى بداية التشبّع.

يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,65 V على التوالي مع 25 Ω (يوصل فوق 0,65 V). وهو على التوالي مع مقاومة 150 Ω عبر مصدر 9 V. أوجد تيار التشغيل I_D حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.