1.سهلة
يُغذّى صمام زينر 5,6 V من 18 V عبر مقاومة 270 Ω، دون حمل موصول. أوجد التيار IR في المقاومة.
Vin = 18 VVZ = 5,6 VR = 270 Ω
IR = mA
ورقة عمل الثنائيات والترانزستورات مع الإجابات
2.سهلة
مصدر تيار مستمر 12 V موصول عبر المقاومة R₁ = 330 Ω بعقدة X. من العقدة X إلى الطرف السالب للمصدر يوجد مساران متوازيان: المقاومة R₂ = 10 kΩ، وثنائي سيليكون مصعده عند X. استخدم نموذج الهبوط الثابت بـ 0,7 V. أوجد تيار الثنائي ID بالـ mA.
Vs = 12 VR1 = 330 ΩR2 = 10 kΩVD = 0,7 V
ID = mA
3.متوسطة
ترانزستور NPN بـ β = 50 منحاز بمقاومة قاعدة RB = 1000 kΩ من المصدر VCC = 10 V. مقاومة المجمِّع RC = 2,2 kΩ والباعث موصول بالأرضي. خذ VBE = 0,7 V وافترض أن الترانزستور في المنطقة الفعّالة. أوجد جهد المجمِّع–الباعث VCE.
VCC = 10 VRB = 1000 kΩRC = 2,2 kΩβ = 50VBE = 0,7 V
VCE = V
4.متوسطة
يُغذّى منظم زينر 3,3 V من 24 V عبر 470 Ω ويغذّي حملًا 1000 Ω. أوجد تيار زينر IZ.
Vin = 24 VVZ = 3,3 VR = 470 ΩRL = 1000 Ω
IZ = mA
5.صعبة
يُنمذج صمام ثنائي بـ 0,7 V على التوالي مع 25 Ω (يوصل فوق 0,7 V). وهو على التوالي مع مقاومة 1000 Ω عبر مصدر 6 V. أوجد تيار التشغيل ID حيث يلتقي خط الصمام بخط الحمل.
Vs = 6 VR = 1000 ΩV0 = 0,7 Vrd = 25 Ω
ID = mA
6.صعبة
ترانزستور NPN بـ β = 50 يتحكّم بمقاومة حمل 680 Ω موصولة بين VCC = 9 V ومجمِّعه. الباعث موصول بالأرضي. تُغذّى القاعدة من خرج منطقي 3,3 V عبر مقاومة قاعدة RB. خذ VBE = 0,7 V و VCE(sat) = 0,2 V. لتبديل موثوق، صمّم لتيار قاعدة يساوي 10 ضعف الحد الأدنى اللازم للتشبّع. أوجد RB بالـ kΩ.
VCC = 9 VRC = 680 Ωβ = 50Vin = 3,3 VVBE = 0,7 VVCE(sat) = 0,2 Vمعامل الدفع الزائد = 10
RB = kΩ
مفتاح الإجابات
- 1. IR = 45,93 mA
- 2. ID = 34,17 mA
- 3. VCE = 8,977 V
- 4. IZ = 40,74 mA
- 5. ID = 5,171 mA
- 6. RB = 1,005 kΩ
حلول كاملة خطوة بخطوة: تدرّب على هذا الموضوع في examproblems.com.